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Diodes公司完整型號：DMN2009LSS-13

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：58.3nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2555pF @ 10V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOP