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    DMN2501UFB4-7
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    Diodes公司完整型號:DMN2501UFB4-7

    制造廠家名稱:Diodes Incorporated

    描述:MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

    系列:-

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):400 毫歐 @ 600mA,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):82pF @ 16V

    功率 - 最大值:500mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:3-XFDFN

    供應商器件封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)


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