HGT1S10N120BNS >>> Fairchild芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Fairchild公司HGT1S10N120BNS報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購HGT1S10N120BNS？不再猶豫，找我們沒錯(cuò)！對有長期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Fairchild仙童公司完整型號：HGT1S10N120BNS

制造廠家名稱：Fairchild Semiconductor

描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

系列：-

IGBT 類型：NPT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35A

Current - Collector Pulsed (Icm)：80A

不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.7V @ 15V，10A

功率 - 最大值：298W

Switching Energy：320μJ （開）， 800μJ （關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge：100nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：23ns/165ns

Test Condition：960V, 10A, 10 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB