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IR公司完整型號(hào)：IRFHM830DTR2PBF

制造廠家名稱(chēng)：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

系列：HEXFET

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：20A（Ta），40A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：4.3 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 50μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1797pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-VQFN 裸露焊盤(pán)

供應(yīng)商器件封裝：PQFN（3x3）