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    IXTA1N200P3HV
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    IXYS公司完整型號: IXTA1N200P3HV

    制造廠家名稱: IXYS

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

    系列: -

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 標準

    漏源極電壓(Vdss): 2000V(2kV)

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 1A(Tc)

    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 40 歐姆 @ 500mA,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 23.5nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 646pF @ 25V

    功率 - 最大值: 125W

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

    供應商器件封裝: TO-263(IXTA)


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