VWM200-01P >>> IXYS芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供IXYS公司VWM200-01P報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購(gòu)VWM200-01P？不再猶豫，找我們沒(méi)錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

IXYS公司完整型號(hào)：VWM200-01P

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

系列：-

FET 類型：6 N-溝道（3 相橋）

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：210A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：5.2 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：430nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：V2-PAK

供應(yīng)商器件封裝：V2-PAK