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    IPA65R190C7XKSA1
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    Infineon英飛凌公司完整型號: IPA65R190C7XKSA1

    制造廠家名稱: Infineon Technologies

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 650V 8A TO220

    系列: CoolMOS C7

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓(Vdss): 650V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 8A(Tc)

    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 190 毫歐 @ 5.7A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 290μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 23nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1150pF @ 400V

    功率 - 最大值: 30W

    安裝類型: 通孔

    封裝/外殼: TO-220-3 整包

    供應(yīng)商器件封裝: PG-TO-220-FP


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