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Infineon英飛凌公司完整型號：IPD12CNE8N G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：85V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：67A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12.4 毫歐 @ 67A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：64nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4340pF @ 40V

功率 - 最大值：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3