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    IPP05CN10N G
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    Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPP05CN10N G

    制造廠家名稱:Infineon Technologies

    描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

    系列:OptiMOS?

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):100V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):5.4 毫歐 @ 100A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):181nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):12000pF @ 50V

    功率 - 最大值:300W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3

    供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3


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