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    IPT012N08N5ATMA1
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    Infineon英飛凌公司完整型號: IPT012N08N5ATMA1

    制造廠家名稱: Infineon Technologies

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

    系列: OptiMOS?

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓(Vdss): 80V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 300A(Tc)

    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 1.2 毫歐 @ 150A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 280μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 223nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 17000pF @ 40V

    功率 - 最大值: 375W

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: 8-PowerSFN

    供應(yīng)商器件封裝: PG-HSOF-8-1


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