SIDC30D120E6 >>> 英飛凌芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供英飛凌公司SIDC30D120E6報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購(gòu)SIDC30D120E6？不再猶豫，找我們沒(méi)錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：SIDC30D120E6

制造廠家名稱(chēng)：Infineon Technologies

描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

系列：-

二極管類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200V（1.2kV）

電流 - 平均整流 (Io)：35A（DC）

不同 If 時(shí)的電壓 - 正向 (Vf)：1.9V @ 35A

速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-

不同 Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流：27μA @ 1200V

不同 Vr、F 時(shí)的電容：-

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：晶片

供應(yīng)商器件封裝：帶箔切割晶片

工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 150°C