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Microsemi美高森美完整型號：APT65GP60L2DQ2G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 600V 198A 833W TO264

系列：POWER MOS 7

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：198A

Current - Collector Pulsed (Icm)：250A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A

功率 - 最大值：833W

Switching Energy：605μJ （開）， 895μJ （關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge：210nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：30ns/90ns

Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：*