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    PHD9NQ20T,118
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    NXP恩智浦完整型號:PHD9NQ20T,118

    制造廠家名稱:NXP Semiconductors

    描述:MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

    系列:TrenchMOS?

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標準

    漏源極電壓 (Vdss):200V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):8.7A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):24nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):959pF @ 25V

    功率 - 最大值:88W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

    供應(yīng)商器件封裝:DPAK


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