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    PMDT670UPE,115
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    NXP恩智浦完整型號(hào):PMDT670UPE,115

    制造廠家名稱:NXP Semiconductors

    描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666

    系列:-

    FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙)

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):550mA

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):850 毫歐 @ 400mA,4.5V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1.14nC @ 4.5V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):87pF @ 10V

    功率 - 最大值:330mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666

    供應(yīng)商器件封裝:SOT-666


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