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    PMGD175XN,115
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    NXP恩智浦完整型號:PMGD175XN,115

    制造廠家名稱:NXP Semiconductors

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP

    系列:-

    FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):30V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):900mA

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):225 毫歐 @ 1A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.1nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):75pF @ 15V

    功率 - 最大值:390mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

    供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP


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