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    PMXB350UPEZ
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    NXP恩智浦完整型號:PMXB350UPEZ

    制造廠家名稱:NXP Semiconductors

    描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3

    系列:-

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.2A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):447 毫歐 @ 1.2A, 4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.3nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):116pF @ 10V

    功率 - 最大值:360mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:3-XFDFN 裸露焊盤

    供應(yīng)商器件封裝:3-DFN (1.1x1)


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