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NXP恩智浦完整型號：PMXB360ENEAZ

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：80V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：1.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：450 毫歐 @ 1.1A， 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：4.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：130pF @ 40V

功率 - 最大值：400mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-XFDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：3-DFN （1.1x1）