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    PSMN1R5-30YL,115
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    NXP恩智浦完整型號(hào):PSMN1R5-30YL,115

    制造廠家名稱:NXP Semiconductors

    描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK

    系列:-

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):30V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 15A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):77.9nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5057pF @ 12V

    功率 - 最大值:109W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK

    供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56, Power-SO8


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