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    PSMN8R5-100ESQ
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    NXP恩智浦完整型號(hào):PSMN8R5-100ESQ

    制造廠家名稱:NXP Semiconductors

    描述:MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK

    系列:-

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):100V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100A(Tj)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 25A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):111nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5512pF @ 50V

    功率 - 最大值:263W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

    供應(yīng)商器件封裝:I2PAK


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