PDTB113ET >>> Nexperia芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Nexperia公司PDTB113ET報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購(gòu)PDTB113ET？不再猶豫，找我們沒(méi)錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Nexperia公司器件型號(hào)：PDTB113ET,215

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

所屬類別：雙極 (BJT) - 單，預(yù)偏置-晶體管

系列：-

零件狀態(tài)：在售

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流 - 集電極（Ic）（最大值）：500mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器 - 基底（R1）（歐姆）：1k

電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）：1k

不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：33 @ 50mA，5V

不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA

電流 - 集電極截止（最大值）：500nA

頻率 - 躍遷：-

功率 - 最大值：250mW

安裝類型：表面貼裝

封裝形式：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：TO-236AB（SOT23）

PDTB113ET的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：3000 PCS