PMXB360ENEAZ >>> Nexperia芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Nexperia公司PMXB360ENEAZ報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

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Nexperia公司器件型號(hào)：PMXB360ENEAZ

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：-

零件狀態(tài)：在售

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：80V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：1.1A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：4.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：130pF @ 40V

Vgs（最大值）：-

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：400mW（Ta），6.25W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：450 毫歐 @ 1.1A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：DFN1010D-3

封裝形式：3-XDFN

PMXB360ENEAZ的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：5000 PCS