PMZB670UPE >>> Nexperia芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供Nexperia公司PMZB670UPE報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！

采購PMZB670UPE？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！

Nexperia公司器件型號：PMZB670UPE,315

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：-

零件狀態(tài)：在售

FET 類型：P 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：680mA（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：1.14nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：87pF @ 10V

Vgs（最大值）：±8V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta），2.7W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：850 毫歐 @ 400mA，4.5V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

Nexperia公司標準封裝：3-DFN1006B（0.6x1）

封裝形式：3-XFDFN

PMZB670UPE的標準包裝數量(SPQ)：10000 PCS