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    PSMN9R5-100BS
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    Nexperia公司器件型號:PSMN9R5-100BS,118

    制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離

    功能總體描述:MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK

    所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管

    系列:-

    零件狀態(tài):在售

    FET 類型:N 溝道

    技術:MOSFET(金屬氧化物)

    漏源極電壓(Vdss):100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):89A(Tc)

    驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):82nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4454pF @ 50V

    Vgs(最大值):±20V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):211W(Tc)

    不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):9.6 毫歐 @ 15A,10V

    工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

    安裝類型:表面貼裝

    Nexperia公司標準封裝:D2PAK

    封裝形式:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

    PSMN9R5-100BS的標準包裝數量(SPQ):800 PCS


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