2SJ683-TL-E >>> 安森美芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ON安森美公司2SJ683-TL-E報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): 2SJ683-TL-E
制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
系列: -
FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）: 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 65A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 10.5 毫歐 @ 33A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 290nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 15500pF @ 20V
功率 - 最大值: 50W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝: ZP