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    3LN01C-TB-H
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    ON安森美半導(dǎo)體完整型號:3LN01C-TB-H

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

    系列:-

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng)

    漏源極電壓 (Vdss):30V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):150mA(Ta)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.7 歐姆 @ 80mA,4V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1.58nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):7pF @ 10V

    功率 - 最大值:250mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    供應(yīng)商器件封裝:3-CP


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