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    BBS3002-DL-1E
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    ON安森美半導(dǎo)體完整型號:BBS3002-DL-1E

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:MOSFET P-CH 60V 100A

    系列:-

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動

    漏源極電壓 (Vdss):60V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):100A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5.8 毫歐 @ 50A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):280nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):13200pF @ 20V

    功率 - 最大值:90W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

    供應(yīng)商器件封裝:D2PAK (TO-263)


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