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    ECH8695R-TL-W
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    ON安森美半導體完整型號:ECH8695R-TL-W

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH DUAL 2.5V SOT28

    系列:-

    FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏

    FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動

    漏源極電壓 (Vdss):24V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):11A

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):9.1 毫歐 @ 5A, 4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:1.4W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

    供應商器件封裝:SOT-28FL/ECH8


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