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    NGB8206ANT4G
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    ON安森美半導體完整型號:NGB8206ANT4G

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

    系列:-

    IGBT 類型:-

    電壓 - 集射極擊穿(最大值):390V

    電流 - 集電極 (Ic)(最大值):20A

    Current - Collector Pulsed (Icm):50A

    不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):1.9V @ 4.5V,20A

    功率 - 最大值:150W

    Switching Energy:-

    輸入類型:邏輯

    Gate Charge:-

    25°C 時 Td(開/關)值:-/5μs

    Test Condition:300V,9A,1 千歐,5V

    反向恢復時間 (trr):-

    封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

    安裝類型:表面貼裝

    供應商器件封裝:D2PAK


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