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    NGD18N40ACLBT4G
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    ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NGD18N40ACLBT4G

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:IGBT 430V 15A 115W DPAK-3

    系列:-

    IGBT 類型:-

    電壓 - 集射極擊穿(最大值):430V

    電流 - 集電極 (Ic)(最大值):15A

    Current - Collector Pulsed (Icm):50A

    不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.5V @ 4V,15A

    功率 - 最大值:115W

    Switching Energy:-

    輸入類型:邏輯

    Gate Charge:-

    25°C 時 Td(開/關(guān))值:-

    Test Condition:-

    反向恢復(fù)時間 (trr):-

    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

    安裝類型:表面貼裝

    供應(yīng)商器件封裝:DPAK-3


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