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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NGTB03N60R2DT4G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: IGBT 9A 600V DPAK

系列: -

IGBT 類型: -

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 600V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 9A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 12A

不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，3A

功率 - 最大值: 49W

開關(guān)能量: 50μJ（開），27μJ（關(guān)）

輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷: 17nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值: 27ns/59ns

測試條件: 300V，3A，30 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）: 65ns

封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

安裝類型: 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝: DPAK