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    NGTB25N120LWG
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    ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NGTB25N120LWG

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

    系列:-

    IGBT 類型:溝道和場(chǎng)截止

    電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

    電流 - 集電極 (Ic)(最大值):50A

    Current - Collector Pulsed (Icm):200A

    不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.3V @ 15V,25A

    功率 - 最大值:192W

    Switching Energy:3.4mJ (開(kāi)), 800μJ (關(guān))

    輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

    Gate Charge:200nC

    25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:89ns/235ns

    Test Condition:600V,25A,10 歐姆,15V

    反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-

    封裝/外殼:TO-247-3

    安裝類型:通孔

    供應(yīng)商器件封裝:TO-247


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