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    NGTB50N60L2WG
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    ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NGTB50N60L2WG

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:IGBT 600V 50A TO247

    系列:-

    IGBT 類型:溝道和場截止

    電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

    電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100A

    Current - Collector Pulsed (Icm):200A

    不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):1.8V @ 15V,50A

    功率 - 最大值:500W

    Switching Energy:800μJ (開), 600μJ (關(guān))

    輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

    Gate Charge:310nC

    25°C 時 Td(開/關(guān))值:110ns/270ns

    Test Condition:400V, 50A, 10 歐姆, 15V

    反向恢復(fù)時間 (trr):67ns

    封裝/外殼:TO-247-3

    安裝類型:通孔

    供應(yīng)商器件封裝:TO-247


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