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    NGTG35N65FL2WG
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    ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NGTG35N65FL2WG

    制造廠家名稱: ON Semiconductor

    功能總體簡述: IGBT 650V 60A 167W TO247

    系列: -

    IGBT 類型: 場截止

    電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650V

    電流 - 集電極(Ic)(最大值): 70A

    脈沖電流 - 集電極 (Icm): 120A

    不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 2V @ 15V,35A

    功率 - 最大值: 300W

    開關(guān)能量: 840μJ(開),280μJ(關(guān))

    輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)

    柵極電荷: 125nC

    25°C 時 Td(開/關(guān))值: 72ns/132ns

    測試條件: 400V,35A,10 歐姆,15V

    反向恢復(fù)時間(trr): -

    封裝/外殼: *

    安裝類型: *

    供應(yīng)商器件封裝: *


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