NSVMUN5314DW1T3G >>> 安森美芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ON安森美公司NSVMUN5314DW1T3G報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購NSVMUN5314DW1T3G？不再猶豫，找我們沒錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): NSVMUN5314DW1T3G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

系列: -

晶體管類型: 1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 50V

電阻器 - 基底（R1）（歐姆）: 10k

電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）: 47k

不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）: 250mV @ 300μA，10mA

電流 - 集電極截止（最大值）: 500nA

頻率 - 躍遷: -

功率 - 最大值: 250mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商器件封裝: SC-88/SC70-6/SOT-363