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    NTB30N20G
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    ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NTB30N20G

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

    系列:-

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):200V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):30A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):81 毫歐 @ 15A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):100nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2335pF @ 25V

    功率 - 最大值:2W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

    供應(yīng)商器件封裝:D2PAK


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