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    NTD18N06LG
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    ON安森美半導體完整型號:NTD18N06LG

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

    系列:-

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):60V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):65 毫歐 @ 9A,5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):22nC @ 5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):675pF @ 25V

    功率 - 最大值:55W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

    供應商器件封裝:DPAK-3


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