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    NTD3813N-35G
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    ON安森美半導體完整型號:NTD3813N-35G

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

    系列:-

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):16V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9.6A(Ta),51A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.75 毫歐 @ 15A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12.8nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):963pF @ 12V

    功率 - 最大值:1.2W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak

    供應商器件封裝:I-Pak


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