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ON安森美半導體完整型號：NTD6600N-1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：146 毫歐 @ 6A，5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：700pF @ 25V

功率 - 最大值：1.28W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應商器件封裝：I-Pak