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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NTHC5513T1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 20V 1206A

系列：-

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：2.9A，2.2A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 2.9A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：4nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：180pF @ 10V

功率 - 最大值：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝：ChipFET