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ON安森美半導(dǎo)體完整型號：NTHD2102PT1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

系列：-

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：8V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：3.4A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：58 毫歐 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 2.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：715pF @ 6.4V

功率 - 最大值：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝：ChipFET