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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NTJD1155LT1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

系列：-

FET 類(lèi)型：N 和 P 溝道

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：8V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：1.3A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：175 毫歐 @ 1.2A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：400mW

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商器件封裝：SC-88/SC70-6/SOT-363