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    NTJD2152PT1G
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    ON安森美半導體完整型號:NTJD2152PT1G

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363

    系列:-

    FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):8V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):775mA

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):300 毫歐 @ 570mA,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):225pF @ 8V

    功率 - 最大值:270mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

    供應商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363


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