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ON安森美半導(dǎo)體完整型號：NTLJD3115PT1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

系列：-

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2.3A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 2A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.2nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：531pF @ 10V

功率 - 最大值：710mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）