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    NTMSD2P102R2SG
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    ON安森美半導體完整型號:NTMSD2P102R2SG

    制造廠家名稱:ON Semiconductor

    描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

    系列:-

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:二極管(隔離式)

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.3A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):90 毫歐 @ 2.4A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):18nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):750pF @ 16V

    功率 - 最大值:710mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

    供應商器件封裝:8-SOIC N


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