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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào)：NVD4856NT4G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 25V 89A DPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：13.3A（Ta），89A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：4.7 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2241pF @ 12V

功率 - 最大值：1.33W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3