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    EMB6T2R
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    ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: EMB6T2R

    制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

    功能總體簡述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

    系列: -

    晶體管類型: 2 個 PNP 預(yù)偏壓式(雙)

    電流 - 集電極(Ic)(最大值): 30mA

    電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V

    電阻器 - 基底(R1)(歐姆): 47k

    電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆): 47k

    不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 68 @ 5mA,5V

    不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值): 300mV @ 500μA,10mA

    電流 - 集電極截止(最大值): 500nA

    頻率 - 躍遷: 250MHz

    功率 - 最大值: 150mW

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: SOT-563,SOT-666

    供應(yīng)商器件封裝: EMT6


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