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    RDN100N20FU6
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    ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: RDN100N20FU6

    制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

    系列: -

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 標準

    漏源極電壓(Vdss): 200V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 10A(Ta)

    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 360 毫歐 @ 5A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA

    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 30nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 543pF @ 10V

    功率 - 最大值: 35W

    安裝類型: 通孔

    封裝/外殼: TO-220-3 整包

    供應(yīng)商器件封裝: TO-220FN


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