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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): RGT8BM65DTL

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: IGBT 650V 8A 62W TO-252

系列: -

IGBT 類型: 溝道和場(chǎng)截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 650V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 8A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 12A

不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，4A

功率 - 最大值: 62W

開關(guān)能量: -

輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷: 13.5nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值: 17ns/69ns

測(cè)試條件: 400V，4A，50歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）: 40ns

封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

安裝類型: 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝: TO-252