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ROHM羅姆半導體完整型號: RGT8NS65DGTL

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: IGBT 650V 8A 65W TO-263S

系列: -

IGBT 類型: 溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 650V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 8A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 12A

不同 Vge，Ic 時的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，4A

功率 - 最大值: 65W

開關能量: -

輸入類型: 標準

柵極電荷: 13.5nC

25°C 時 Td（開/關）值: 17ns/69ns

測試條件: 400V，4A，50歐姆，15V

反向恢復時間（trr）: 40ns

封裝/外殼: TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

安裝類型: 表面貼裝

供應商器件封裝: LPDS（TO-263S）