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    RHU002N06T106
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    ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: RHU002N06T106

    制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

    系列: -

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng)

    漏源極電壓(Vdss): 60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 200mA(Ta)

    不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 2.4 歐姆 @ 200mA,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): -

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 4.4nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 15pF @ 10V

    功率 - 最大值: 200mW

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: SC-70,SOT-323

    供應(yīng)商器件封裝: UMT3


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